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Informatiqueil y a 1 h1 rédaction

Samsung double sa production de mémoire HBM4 et HBM4E dès 2027

  • Samsung prévoit de multiplier par deux sa production de DRAM HBM4 et HBM4E l’an prochain.
  • Cette expansion cible les besoins croissants en mémoire haute performance pour l’IA et les data centers.
  • Les analystes anticipent une pression sur les prix et une intensification de la concurrence avec SK Hynix.

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Le fil de l’événement

13 faits · 22 avr. → 20 sept.
  1. 22 avr.SK Hynix prévoit la production de mémoires HBM aux États-Unis
  2. 24 avr.La pénurie de RAM s'aggrave : les grèves Samsung menacent les datacenters IA
  3. 30 avr.La pénurie de mémoire RAM s'aggravera en 2027 selon Samsung
  4. 23 juinSamsung dépasse le milliard de dollars en mémoire HBM4 pour l'IA
  5. 25 juinSK Hynix lève 29 milliards de dollars pour dominer les puces d'IA
  6. 30 juinLa Corée du Sud vise un doublement de sa production de RAM d’ici 2029
  7. 2 juil.SK Hynix, leader mondial de la mémoire, profite de l'essor de l'IA
  8. 3 juil.Samsung relève les prix de la DRAM jusqu’à 20 % sous l’effet de l’IA
  9. 25 juil.Samsung et SK hynix signent un accord historique de 750 milliards de dollars avec les géants américains de l'IA
  10. 29 juil.Samsung et SK Hynix investissent plus d'un billion de dollars dans de nouvelles usines
  11. 30 juil.Samsung alerte sur une crise des puces mémoire en 2027
  12. 31 aoûtPénurie de puces DRAM jusqu'en 2030 : les géants du secteur en profitent
  13. 20 sept.Samsung double sa production de mémoire HBM4 et HBM4E dès 2027VOUS ÊTES ICI
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